Under de senaste åren har halvledartekniken utvecklats snabbt, och efterfrågan på tantal som används som sputterad film har gradvis ökat. I integrerade kretsar placeras tantal mellan kisel- och kopparledare som en diffusionsbarriär. Produktionsmetoder försprutande tantalmålinkluderar götmetallurgi (I/M) och pulvermetallurgi (P/M). Tantalmål med lägre krav är i allmänhet gjorda av tantalgöt. I vissa fall med högre krav kan dock I/M-metoden inte användas, och den pulvermetallurgiska metoden kan endast användas för att framställa den. Till exempel kan I/M-metoden inte producera legeringsmål på grund av de olika smältpunkterna för tantal och kisel, och den låga segheten hos kiselföreningar.
Ämnen som förorenar halvledaranordningen får inte finnas i filmbildningen. När förstoftningsfilmen bildas, om det finns föroreningar i tantal- (legering, sammansatt) mål, kommer föroreningarna att införas i förstoftningskammaren, vilket gör att grova partiklar fäster vid substratet och kortsluter tunnfilmskretsen. Samtidigt kan föroreningar också vara orsaken till ökningen av utskjutande partiklar i den tunna filmen. Föroreningsgaser som syre, kol, väte och kväve i målet kommer att orsaka onormala fenomen och orsaka problem i den bildade filmens enhetlighet. Dessutom, för pulvermetallurgimetoden, är likformigheten hos den avsatta filmen en funktion av kornstorleken i målet, och ju finare korn i målet är, desto mer enhetlig blir filmen. Därför finns det ett behov inom tekniken av högkvalitativa tantalpulver och tantalmål. Därför, för att få högkvalitativt tantalpulver och tantalmål, är det nödvändigt att minska föroreningshalten i tantalpulver och öka renheten hos tantalpulver.
Baoji Yusheng Metal Technology Co, Ltd kan produceratantalpulverav olika partikelstorlekar. Under förutsättningen att säkerställa hög kvalitet, har vårt företag ett komplett utbud av tantalmetallpulver, som kan möta behoven hos olika kunder inom forskning och utveckling, testning, produktion, konsumtion etc. behov.
